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文章詳情
IGBT模塊散熱器的設(shè)計(jì)
日期：2025-12-16 00:17
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摘要：
IGBT散熱器是一種廣大使用的目前有能力關(guān)閉裝置、高開(kāi)關(guān)頻率,廣大用于各種固態(tài)功率。
但如果控制不當(dāng),很容易損壞。
仿真和實(shí)驗(yàn)結(jié)果
如圖1所示的PWM變換器工作在單相高頻整流模式、技術(shù)應(yīng)用PSPICE軟件仿真軟件仿真進(jìn)行研究電路如圖2,你可以得到結(jié)果如圖3。
如圖3所示仿真波形相當(dāng)于在圖2電路IC5B 7英尺觀察信號(hào)波形。
仿真結(jié)果表明,該檢測(cè)電路可以快速、有效地對(duì)PWM變換器在管接通的壓降。
如圖4所示波形檢測(cè)在實(shí)際電路與工作相關(guān)的波形。
圖中,1 #通道顯示了一個(gè)單相高頻整流器給定電感電流波形,2 #通道根據(jù)圖2是實(shí)際的檢測(cè)電路波形IC5B 7英尺的工作。
比較圖3和圖4可以得出結(jié)論,電路可以快速、有效地檢測(cè)IGBT接通的管壓降,有效保護(hù)IGBT。
如圖5所示為IGBT散熱器流在實(shí)際流動(dòng)的PFC電感電流波形和保護(hù)電路。
電路實(shí)際運(yùn)行結(jié)果表明,在本文中,我們介紹了IGBTIGBT模塊散熱器是一種廣大使用的目前有能力關(guān)閉裝置、高開(kāi)關(guān)頻率,廣大用于各種固態(tài)功率。
但如果控制不當(dāng),很容易損壞。
短路保護(hù)電路可以有效地執(zhí)行保護(hù)IGBT散熱器、低成本和可靠的操作。
實(shí)踐證明,電路有較大的實(shí)用價(jià)值,尤其是在低直流總線(xiàn)電壓應(yīng)用電路,具有廣闊的應(yīng)用前景。
該電路已成功應(yīng)用于一個(gè)特定類(lèi)型的3 kva高頻逆變器。
IGBT散熱器是公認(rèn)一個(gè)廣大使用的目前有能力關(guān)閉裝置、高開(kāi)關(guān)頻率,廣大用于各種固態(tài)功率。
但如果控制不當(dāng),很容易損壞。
損壞的主要原因有兩個(gè):一個(gè)是散熱器IGBTIGBT模塊是一種廣大使用的目前有能力關(guān)閉裝置、高開(kāi)關(guān)頻率,廣大用于各種固態(tài)功率。
但如果控制不當(dāng),很容易損壞。
退出飽和區(qū)和入?yún)^(qū),開(kāi)關(guān)損耗增加,
**個(gè)是IGBTIGBT模塊散熱器是一種廣大使用的目前有能力關(guān)閉裝置、高開(kāi)關(guān)頻率,廣大用于各種固態(tài)功率。
但如果控制不當(dāng),很容易損壞。
產(chǎn)生很大的瞬態(tài)電流,短路,損壞的IGBT。
IGBTIGBT模塊散熱器是一種廣大使用的目前有能力關(guān)閉裝置、高開(kāi)關(guān)頻率,廣大用于各種固態(tài)功率。
但如果控制不當(dāng),很容易損壞。
保護(hù)通常采用快速自保護(hù)措施,即當(dāng)故障發(fā)生時(shí),關(guān)掉IGBTIGBT模塊散熱器是一種廣大使用的目前有能力關(guān)閉裝置、高開(kāi)關(guān)頻率,廣大用于各種固態(tài)功率。
但如果控制不當(dāng),很容易損壞。
驅(qū)動(dòng)電路,驅(qū)動(dòng)電路實(shí)現(xiàn)飽和保護(hù);
或者當(dāng)一個(gè)短路發(fā)生時(shí),迅速關(guān)閉IGBTIGBT模塊散熱器是一種廣大使用的目前有能力關(guān)閉裝置、高開(kāi)關(guān)頻率,廣大用于各種固態(tài)功率。
但如果控制不當(dāng),很容易損壞。
根據(jù)不同的監(jiān)測(cè)對(duì)象、散熱器IGBTIGBT模塊是一個(gè)廣大使用的目前有能力關(guān)閉裝置、高開(kāi)關(guān)頻率,廣大用于各種固態(tài)功率。
但如果控制不當(dāng),很容易損壞。
短路保護(hù)可以分為巨大監(jiān)測(cè)方法或Uce監(jiān)測(cè)方法,原理基本相似,是使用集電極電流IC升起巨大或Uce將上升到這一現(xiàn)象。
當(dāng)一個(gè)巨大或Uce比巨大(sat)或Uce(坐),自動(dòng)關(guān)閉的IGBT驅(qū)動(dòng)電路。
因?yàn)榫薮蠡鞠嗤?在發(fā)生故障時(shí)的變化,當(dāng)退款Uce大發(fā)生巨大變化也飽和和困難的小Uce監(jiān)測(cè)技術(shù)常用的在實(shí)踐中保護(hù)IGBT。
在本文中,我們研究了IGBT保護(hù)電路,它是基于IGBT接通管道的壓力降Uce監(jiān)測(cè)來(lái)實(shí)現(xiàn)保護(hù)IGBT。
利用IGBT短路保護(hù)電路介紹可以實(shí)現(xiàn)快速保護(hù),同時(shí)可以節(jié)省霍爾電流傳感器需要檢測(cè)短路電流,降低整個(gè)系統(tǒng)的成本。
實(shí)踐證明,電路有較大的實(shí)用價(jià)值,尤其是在低直流總線(xiàn)電壓應(yīng)用電路,具有廣闊的應(yīng)用前景。
該電路已成功應(yīng)用于一個(gè)特定類(lèi)型的高頻逆變器。
1、工作原理的短路保護(hù)
如圖1所示(一個(gè))在工作狀態(tài)下的H橋PWM整流器PWM變換電路(這里我們看到的是相當(dāng)于正弦波在半波輸入電路、上橋兩IGBTIGBT模塊散熱器是一種廣大使用的目前有能力關(guān)閉裝置、高開(kāi)關(guān)頻率,廣大用于各種固態(tài)功率。
但如果控制不當(dāng),很容易損壞。
不是畫(huà),圖1(b)兩個(gè)大功率設(shè)備驅(qū)動(dòng)程序?yàn)?*個(gè)一半的橋信號(hào)的波形和相關(guān)設(shè)備。
現(xiàn)在是工作過(guò)程的半波,例如分析(三相PWM電路、整流器和逆變器工作狀態(tài)或單相直流/直流工作狀態(tài),分析過(guò)程的脈寬調(diào)制電路和類(lèi)似的結(jié)論)。
在圖1所示的電路,在正半周期的電源供應(yīng)我們,將會(huì)顯示在Ug2.4高頻驅(qū)動(dòng)信號(hào)與接下來(lái)的兩個(gè)半橋IGBT散熱器是一種廣大使用的目前有能力關(guān)閉裝置、高開(kāi)關(guān)頻率,廣大用于各種固態(tài)功率。
但如果控制不當(dāng),很容易損壞。
在網(wǎng)格,得到管電壓波形UT2。
d。
分析它的工作過(guò)程如下:在時(shí)間t1和t2,角色的驅(qū)動(dòng)信號(hào),t2,T4傳導(dǎo)(實(shí)際上是t2傳導(dǎo)和D4在流狀態(tài))的作用下,我們通過(guò)Ls電感電流增加,在t2管形式如圖1(b)UT2。
根據(jù)指數(shù)法的D所示電壓波形的上升管,管壓降是當(dāng)前在IGBT刺激人體電阻的生產(chǎn)壓降;
在時(shí)代的t2和t3和t2,T4關(guān)閉,由于儲(chǔ)能電感Ls,因此在的作用下,二極管D2和電感Ls D4流,形成圖1(b)UT2。
D陰影部分顯示在管電壓波形,等等。
分析表明,為了能夠檢測(cè)IGBT散熱器是一種廣大使用的目前有能力關(guān)閉裝置、高開(kāi)關(guān)頻率,廣大用于各種固態(tài)功率。
但如果控制不當(dāng),很容易損壞。
開(kāi)機(jī)的管壓降值,應(yīng)該在t1和t2時(shí)間IGBT接通的管壓降,這將被檢測(cè)到在時(shí)間t2和t3 IGBT管壓降值,圖1(b)UT2。
D陰影部分顯示在管電壓波形。
由于IGBT開(kāi)關(guān)頻率較高,和有一個(gè)大的開(kāi)關(guān)噪聲,因此應(yīng)給予足夠的考慮當(dāng)采樣電路的設(shè)計(jì)。
根據(jù)上面的分析表明,在正常情況下,IGBT接通的散熱器管壓降Uce(坐)值相對(duì)較低,通常不到數(shù)據(jù)的設(shè)備手冊(cè)(坐)評(píng)級(jí)Uce。
然而,如果H橋式變換電路故障(如站在橋的一側(cè)手臂向上和向下兩個(gè)IGBT同時(shí)傳導(dǎo)現(xiàn)象的“直接”),是下一個(gè)管IGBT C ~ E非常兩端會(huì)產(chǎn)生一個(gè)更大的比普通管電壓。
如果你能看到這個(gè)失敗的管壓降值迅速地發(fā)現(xiàn)和可以作為基礎(chǔ)IGBT保護(hù),從而有效地保護(hù)IGBT。
2、短路保護(hù)電路設(shè)計(jì)
通過(guò)分析電路如圖1中,您可以獲得IGBT短路保護(hù)電路原理圖,如圖2所示。
在電路如圖2 IC4和外圍組件控制邏輯電路,由IC5和外圍設(shè)備過(guò)濾和放大電路,IC2及其外圍組件閾值比較電路IC1保持電路和外圍組件。
在正常情況下,D1、D2、D3,陰極連接IC2D IC2C和CD4011輸出是基于高水平,輸出的狀態(tài)不會(huì)改變IC1。
假設(shè),出于某種原因,當(dāng)發(fā)送T2驅(qū)動(dòng)信號(hào),H橋PWM變換電路的壓降管T2異常升高左半橋(一個(gè)水平值是“高”),電壓的T2 - d異常升高,那么高水平UT2 - d通過(guò)R2在D8陰極;
發(fā)送T2同時(shí),高水平的驅(qū)動(dòng)信號(hào)被添加在陰極的二極管D5。
對(duì)于IC2C,其反相輸入是高水平的,如果水平大于閾值水平同相輸入端的值,IC2C輸出為“低”。
“低水平”D2 + R,R - S觸發(fā)器IC1輸入,輸出Q輸出電平、IGBT故障報(bào)警信號(hào)到控制系統(tǒng)。
如果它是由于橋下的權(quán)利的T4管壓降引起的異常升高IC2D輸出是“低”,然后是“低”的水平通過(guò)D1在R - S觸發(fā)器IC1 R輸入,輸出Q輸出電平、IGBT故障報(bào)警信號(hào)到控制系統(tǒng)。
由IC5A和IC5C和外圍設(shè)備過(guò)濾和放大電路將被稱(chēng)為發(fā)送方式的描述壓力降的IGBT管電壓信號(hào)預(yù)處理,給了由IC5B加法器進(jìn)行處理。
如果輸出水平的加法器大于設(shè)定的閾值水平R22,R32的,將使R - S觸發(fā)器IC1 R第三輸入為“低”,同時(shí)還可以控制系統(tǒng)故障報(bào)警信號(hào)的IGBT。
改變閾值設(shè)定的水平R22,R32,可以靈活地改變物理意義的警報(bào)信號(hào)代表了第三條道路,從而靈活地設(shè)計(jì)保護(hù)電路。
在圖2中,T2終端T4 - d - d,分別在收集器的T4,T2,T4,T2 - G - G分別由IGBT器件驅(qū)動(dòng)信號(hào),T2的T4。
電路設(shè)計(jì)中,我們應(yīng)該更加注意D8、D9,D4 D5、快速恢復(fù)二極管必須被使用。
3,
固態(tài)功率是基本任務(wù)的**可靠提供所需的電能負(fù)荷。
對(duì)于電子設(shè)備,電源是其核心部件。
負(fù)載除了所需的電源可以提供高質(zhì)量的輸出電壓,也提出了更高的要求,供電系統(tǒng)的可靠性等。
IGBT是一種廣大使用的目前有能力關(guān)閉裝置、高開(kāi)關(guān)頻率,廣大用于各種固態(tài)功率。
但如果控制不當(dāng),很容易損壞。
一般認(rèn)為主要原因損壞的IGBT有兩種:一是IGBT退出飽和區(qū)和入?yún)^(qū),開(kāi)關(guān)損耗;
**個(gè)是散熱器短路IGBT模塊
固態(tài)功率是基本任務(wù)的**可靠提供所需的電能負(fù)荷。
對(duì)于電子設(shè)備,電源是其核心部件。
負(fù)載除了所需的電源可以提供高質(zhì)量的輸出電壓,也提出了更高的要求,供電系統(tǒng)的可靠性等。
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