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大功率安川變頻器則使用了 IGBT模塊 提供了控制變頻器頻率輸出值的模擬輸入端口。模擬輸入端子組包括位于控制連接器上的[L>、[OI>、[O>和[H>等端子，其中[O>用于輸入電壓，[OI>用于輸入電流。所有的模擬輸入信號(hào)必須使用模擬地[L>。...發(fā)布時(shí)間：2014-07-08 點(diǎn)擊次數(shù)：1203 次
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ABB可控硅的應(yīng)用 ABB可控硅傳感器： ABB可控硅主要用于測(cè)量直流、交流及脈沖電流的傳感器，原、副邊之間高度絕緣，ABB電流及電壓傳感器具有測(cè)量精度高、線性度好、響應(yīng)速度快、隔離效果好等諸多特性。這些產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于全球動(dòng)...發(fā)布時(shí)間：2014-07-04 點(diǎn)擊次數(shù)：926 次
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如何提高IGBT模塊的壽命 如何提高IGBT模塊的壽命 本文中所指的軌道交通主要是采用電力牽引的火車和地鐵，其大功率交流傳動(dòng)電力機(jī)車內(nèi)部構(gòu)成有有兩個(gè)重要的功率模塊，即主牽引變流器和輔助變流器。主牽引變流器為牽引機(jī)車提供動(dòng)力，功率*高、...發(fā)布時(shí)間：2014-07-03 點(diǎn)擊次數(shù)：1106 次
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如何判別ABB可控硅的損壞原因 如何判別ABB可控硅的損壞原因 當(dāng)ABB可控硅損壞后需要檢查分析其原因時(shí)，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。 下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析。1、電壓擊穿?？煽?..發(fā)布時(shí)間：2014-07-02 點(diǎn)擊次數(shù)：994 次
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如何在薄膜電容分容機(jī)中使用IGBT模塊 如何在薄膜電容分容機(jī)中使用IGBT模塊 1薄膜電容分選機(jī)介紹薄膜電容分選機(jī)是薄膜電容器生產(chǎn)工藝中的重要設(shè)備之一。它具有容量不足（C0）檢測(cè)、直流充放電（dVIdt）測(cè)試、直流耐壓檢測(cè)（DCTV）、絕緣電阻（I...發(fā)布時(shí)間：2014-06-15 點(diǎn)擊次數(shù)：1010 次
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變頻器的現(xiàn)狀及未來(lái)的大功率IGBT模塊的發(fā)展 變頻器的現(xiàn)狀及未來(lái)的大功率IGBT模塊的發(fā)展 現(xiàn)在，變頻技術(shù)在發(fā)達(dá)國(guó)家己經(jīng)成熟，隨著新的電力電子元件的不斷出現(xiàn)，新的變頻技術(shù)層出不窮，使其得到了更廣泛的推廣應(yīng)用。變頻技術(shù)的迅速發(fā)展是建立在電力電子技術(shù)的...發(fā)布時(shí)間：2014-06-14 點(diǎn)擊次數(shù)：945 次
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IGBT模塊的原理和測(cè)量及判斷 IGBT模塊的原理和量測(cè)及判斷 在拆機(jī)前，可對(duì)模塊的好壞進(jìn)行大致的量測(cè)，來(lái)進(jìn)行初步的判斷。以上圖為例：4、5、6端子即為變頻器的U、V、W輸出端，22、24分別為變頻器內(nèi)部直流主電路的P（+）端和N（-）...發(fā)布時(shí)間：2014-06-12 點(diǎn)擊次數(shù)：1185 次
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FERRAZ熔斷器使用注意事項(xiàng) FERRAZ熔斷器使用注意事項(xiàng) 熔斷器（fuse）是指當(dāng)電流超過(guò)規(guī)定值時(shí)，以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷，斷開電路的一種電器。熔斷器是根據(jù)電流超過(guò)規(guī)定值一段時(shí)間后，以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化，從而使電路斷開；...發(fā)布時(shí)間：2014-06-08 點(diǎn)擊次數(shù)：875 次
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IXYS可控硅調(diào)光器工作原理及應(yīng)用 IXYS可控硅調(diào)光器工作原理及應(yīng)用 可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流，還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)的快速接通或切斷；實(shí)現(xiàn)...發(fā)布時(shí)間：2014-06-07 點(diǎn)擊次數(shù)：917 次
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ABB可控硅充電機(jī)的安裝使用維護(hù)方法 ABB可控硅充電機(jī)的安裝使用維護(hù)方法 ABB可控硅充電機(jī)是一種裝有可控硅的電源充電設(shè)備。它具有充電效率高，操作簡(jiǎn)單，重量輕，體積小等特點(diǎn)，可用于蓄電池生產(chǎn)廠對(duì)蓄電池進(jìn)行初充電及極板化成?？煽毓栌纸芯чl管，具...發(fā)布時(shí)間：2014-06-05 點(diǎn)擊次數(shù)：1028 次
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可控硅主要參數(shù) 可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，亦稱為晶閘管。具有體積小、結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單、功能強(qiáng)等特點(diǎn)，是比較常用的半導(dǎo)體器件之一。該器件被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電子產(chǎn)品中...發(fā)布時(shí)間：2014-04-30 點(diǎn)擊次數(shù)：1033 次
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FERRAZ熔斷器是壹種過(guò)電流保護(hù)電器 FERRAZ熔斷器是壹種過(guò)電流保護(hù)電器。熔斷器主要由熔體和熔管兩個(gè)部分及外加填料等組成。使用時(shí)，將熔斷器串聯(lián)於被保護(hù)電路中，當(dāng)被保護(hù)電路的電流超過(guò)規(guī)定值，並經(jīng)過(guò)壹定時(shí)間後，由熔體自身產(chǎn)生的熱量熔斷熔體，...發(fā)布時(shí)間：2014-03-20 點(diǎn)擊次數(shù)：912 次
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BUSSMANN熔斷器的來(lái)源 作為全球市場(chǎng)上電路保護(hù)方案的世界領(lǐng)先者，CooperBussmann公司的電路保護(hù)方案廣泛應(yīng)用於世界各地，並符合UL®、CE、CSA®、IEC、BS、VDE、SEMKO和JIS認(rèn)證機(jī)構(gòu)的...發(fā)布時(shí)間：2014-03-20 點(diǎn)擊次數(shù)：994 次
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FERRAZ熔斷器的功能 FERRAZ熔斷器總部位於法國(guó)，擁有110多年的歷史。集團(tuán)在全球擁有60個(gè)下屬企業(yè)，6,200名雇員。在過(guò)去的壹百多年裏，法國(guó)FERRAZ集團(tuán)壹直是碳和石墨領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者。它通過(guò)持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新和完善的售後服...發(fā)布時(shí)間：2014-03-19 點(diǎn)擊次數(shù)：830 次
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IGBT模塊的適用性 IGBT模塊非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。圖1所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。...發(fā)布時(shí)間：2014-03-14 點(diǎn)擊次數(shù)：984 次
